ほぼ毎日IRで戦略考察｜信越化学工業（株）＜シリコン等化学メーカー＞の2023年3月期

シリコンウェハー製造は、高度な技術と厳密な品質管理が求められるプロセスであり、半導体デバイスの基盤となるシリコンウェハーを生産するために行われます。以下に、シリコンウェハー製造の主なプロセスを説明します。

🔵純度の高いシリコンの生成:
シリコンウェハー製造の最初のステップは、高純度のシリコン（ポリシリコン）を生成することです。通常、石英砂（シリカ）から塩素化シリコンを生成し、さらに金属還元法によって高純度のポリシリコンを得ます。

🔵シリコンの結晶成長:
次に、チョクラルスキー法（CZ法）やフロートゾーン法（FZ法）などの技術を用いて、高純度のポリシリコンを単結晶シリコンに成長させます。チョクラルスキー法は、シリコンを溶かした炉で、シード結晶を回転させながら引き上げて単結晶を成長させる方法です。一方、フロートゾーン法は、シリコンロッドを加熱・融解し、単結晶シリコンを得る方法で、より高純度のウェハーが必要な場合に使用されます。

🔵ウェハーの切断と研磨:
成長させた単結晶シリコンは、ダイヤモンドワイヤーソーを用いてウェハー状に薄く切断されます。その後、表面を研磨し、フラットゾーンやノッチを設けることで、ウェハーの結晶方向や導電型を識別できるようになります。

🔵品質検査とクリーニング:
切断・研磨されたウェハーは、厳密な品質検査が行われ、欠陥や不純物が確認されます。その後、ウェハーはウェットクリーニングやRCAクリーニングなどのプロセスで、表面の不純物や粒子を除去し、最終製品として出荷されます。

これらのプロセスを経て、高品質なシリコンウェハーが製造され、半導体デバイスの製造に使用されます。シリコンウェハーは、トランジスタ、ダイオード、集積回路（IC）など、あらゆる半導体デバイスの基盤となります。そのため、ウェハーの品質がデバイスの性能や信頼性に大きな影響を与えるため、製造プロセスの精度や品質管理が非常に重要です。
さらに、半導体デバイスの機能や性能が向上するにつれて、シリコンウェハーの品質要求も高まります。ウェハーの大径化や薄型化、不純物のさらなる低減、高い平坦度や緻密なドーピングが求められるようになっています。
今後も、シリコンウェハー製造メーカーは、技術革新や新しい製造プロセスの開発を通じて、半導体産業のニーズに対応し続けることが期待されています。その結果、より高性能で低消費電力の半導体デバイスが実現され、情報通信技術（ICT）、自動運転、医療機器、エネルギー管理システムなど、さまざまな分野での革新が促進されるでしょう。